近日，國家自然科學基金委員會國家重大科研儀器制項目（部門推薦）——“超高時-空分辨的離子化學研究系統(tǒng)”和“半導體器件氧化層電缺陷演化原位分析系統(tǒng)”現(xiàn)場考察會分別在北京大學舉行。北京大學校長郝平出席考察會。國家自然科學基金委員會（以下簡稱基金委）領(lǐng)導及專家組聽取項目負責人匯報，與項目組骨干成員、依托單位及合作單位管理部門人員進行分組訪談，并對相關(guān)實驗室進行了實地調(diào)研。經(jīng)過基金委嚴格的評審程序，今年北大兩項國家重大科研儀器研制項目（部門推薦）均通過了專家評審和現(xiàn)場考察。

專家組考察“超高時-空分辨的離子化學研究系統(tǒng)”項目

8月23日，“超高時-空分辨的離子化學研究系統(tǒng)”項目負責人吳凱教授在考察會上就儀器的研制基礎(chǔ)、建設(shè)方案與進度安排、條件保障以及風險評估等進行了匯報。離子化學在化學、物理、材料和能源等方面有著廣泛的應(yīng)用，包括乏燃料的安全處置、核素分離、稀土分離與純化、離子電池及其資源回收等，涉及國家重大戰(zhàn)略需求。該項目將解決在單離子水平上研究離子的溶劑化，溶劑化離子的微觀結(jié)構(gòu)、遷移動力學和電子性質(zhì)等關(guān)鍵科學問題。

考察“超高時-空分辨的離子化學研究系統(tǒng)”項目合影

基金委領(lǐng)導及考察組專家認真聽取了項目匯報并與項目組成員和依托單位相關(guān)管理部門人員展開了熱烈的討論，并且進行了現(xiàn)場考察。專家組一致認為，該系統(tǒng)的研制將極大地提升我國在離子化學領(lǐng)域的科學研究水平，開拓離子化學新方向，對我國化學基礎(chǔ)科學研究和相關(guān)關(guān)鍵技術(shù)發(fā)展具有重大意義，將是國際上獨特的離子化學研究先進技術(shù)平臺，建議立項啟動。

專家組在北京大學微納電子學系實地考察

8月29日，“半導體器件氧化層電缺陷演化原位分析系統(tǒng)”項目負責人黃如院士在考察會上就儀器的研制原理、研制方案、研制基礎(chǔ)、進度安排、保障條件以及風險應(yīng)對等進行了匯報。氧化層電缺陷是影響半導體器件性能和可靠性退化的共性科學問題，是先進芯片制造技術(shù)研發(fā)的瓶頸。該項目基于項目組提出的新原理，擬研制世界首個具備缺陷位置、類型、演化等分析的新型半導體器件氧化層缺陷測試分析系統(tǒng)，具備器件無損測量、實時監(jiān)測和單缺陷分析等特色。

基金委領(lǐng)導及考察組專家認真聽取了項目匯報，并就項目的科學問題、研制方案和依托單位的保障條件等進行了充分交流溝通。經(jīng)過現(xiàn)場考察后，專家組一致認為，該系統(tǒng)的研制將開拓微納電子學的前沿基礎(chǔ)，并有望推動我國先進集成電路技術(shù)與芯片制造產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，建議立項啟動。

考察“半導體器件氧化層電缺陷演化原位分析系統(tǒng)”項目合影