又一項(xiàng)半導(dǎo)體材料關(guān)鍵裝備-高能離子注入機(jī)獲取突破。電科裝備自主研制開(kāi)發(fā)的高能離子注入機(jī)順利完成百萬(wàn)電子伏特高能離子加速，性能指標(biāo)達(dá)國(guó)際主流產(chǎn)品先進(jìn)水平。
據(jù)了解，中國(guó)電子科技集團(tuán)旗下電科裝備自主研制開(kāi)發(fā)的高能離子注入機(jī)順利完成百萬(wàn)電子伏特高能離子加速，性能指標(biāo)達(dá)國(guó)際主流產(chǎn)品先進(jìn)水平。這代表著在芯片自主研制開(kāi)發(fā)的道路上，中國(guó)又攻克了一樣受制多年的關(guān)鍵裝備?，F(xiàn)階段世界范圍內(nèi)以集成電路領(lǐng)域離子注入機(jī)為主要業(yè)務(wù)的公司只有6家。
離子注入機(jī)是半導(dǎo)體材料晶圓制造等領(lǐng)域的關(guān)鍵儀器設(shè)備之一。在半導(dǎo)體材料晶圓制造中，鑒于純凈硅的導(dǎo)電的性能能很差，必須加入少量雜質(zhì)使其結(jié)構(gòu)和電導(dǎo)率發(fā)生改變，進(jìn)而轉(zhuǎn)變成一種有價(jià)值的半導(dǎo)體材料，這一流程稱為摻雜。
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