2016下半年以來，我國集成電路產(chǎn)業(yè)市場銷售額穩(wěn)步提升，2017年第一季度，仍保持兩位數(shù)增長。隨著中國本土存儲芯片制造廠商的快速崛起，存儲器有望成為國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要引擎。

　　自2016年中旬全球半導(dǎo)體行業(yè)迎來上升拐點以來，集成電路產(chǎn)業(yè)市場銷售額穩(wěn)步提升，至2017年第一季度，仍保持兩位數(shù)增長，其中，存儲芯片對行業(yè)帶動明顯。

　　如今2017年過去一半，縱觀上半年處理器、主板大多不景氣，唯有NAND、DRAM等存儲芯片市場繼續(xù)高漲，且漲價持續(xù)了一年之久，目前仍未出現(xiàn)下滑趨勢。有分析師表示2017年DRAM內(nèi)存漲價將達到39%，NAND閃存漲價也有21%，市場價值大漲60%~70%，廠商的運營利潤也維持在40%~60%的高位。

　　目前，全球主要幾家存儲器制造商在出貨方面保持著很強的“默契”，而這種“供應(yīng)紀(jì)律”幫助他們在下滑周期中依然能有一個不錯的收成，并在上升周期中獲得超過預(yù)期的利潤。

　　以美國存儲器大廠美光為例，6月30日美光公布2017會計年度第3季財報。財報顯示，截至2017年6月1日，美光創(chuàng)下年增92%，季增20%的亮麗成績。以非一般會計準(zhǔn)則計算，每股EPS為1.62美元，相較第2季EPS的0.9美元，大增0.72美元，成長幅度高達八成。

　　值得一提的是，上述的“供應(yīng)紀(jì)律”面臨著來自中國的重大挑戰(zhàn)，即中國本土的存儲芯片制造廠商正在快速崛起。

　　從短期目標(biāo)來看，中國存儲器制造計劃的最終目的不是商業(yè)優(yōu)勢，而是國家的力量，因為國家希望減少半導(dǎo)體需求對進口的依賴。中國的DRAM產(chǎn)量占全球DRAM產(chǎn)量的20.0%以上，占全球NAND產(chǎn)量的30.0%。

　　不過，從國外存儲器制造商角度來看，中國的確對其業(yè)務(wù)構(gòu)成了潛在的威脅。如果中國成功地制造自己的存儲器產(chǎn)品，三星，SK海力士和美光將面臨大幅下滑的訂單，反過來又會使他們的存儲業(yè)務(wù)陷入“紅色”包圍之中。

　　盡管如此，“從可控、安全來看，只有實現(xiàn)我國集成電路產(chǎn)業(yè)的自主體系，才能實現(xiàn)信息安全，我國集成電路產(chǎn)業(yè)才能扎實發(fā)展，并參與全球產(chǎn)業(yè)競爭”，國半導(dǎo)體協(xié)會執(zhí)行副理事長兼秘書長徐小田表示。

　　為促進國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展，近年來，我國把存儲器作為一大突破口。自2015年以來，我國存儲器產(chǎn)業(yè)市場從零起步，正逐漸形成紫光/長江存儲系、福建晉華及合肥長鑫“三足鼎立”格局。

　　為打造國內(nèi)首個擁有自主知識產(chǎn)權(quán)存儲器，晉江晉華集成電路生產(chǎn)線項目，一期投資56.5億美元，已經(jīng)納入國家“十三五”集成電路重大生產(chǎn)力布局規(guī)劃，并獲得首筆30億元國家專項建設(shè)基金支持，是國家大基金積極布局的戰(zhàn)略項目之一，項目建成后將填補我國主流存儲器自主技術(shù)領(lǐng)域的空白。

　　同時，國內(nèi)存儲器研發(fā)領(lǐng)域也傳來好消息。日前從中科院上海微系統(tǒng)所獲悉，由該所研發(fā)的國際領(lǐng)先的嵌入式相變存儲器現(xiàn)已成功應(yīng)用在打印機領(lǐng)域，并實現(xiàn)千萬量級市場化銷售。據(jù)了解，該相變存儲器，具有功耗低、寫入速度快、斷電后保存數(shù)據(jù)不丟失等優(yōu)點，被業(yè)界稱為下一代存儲技術(shù)的最佳解決方案之一。分析人士由此推測，未來中國在該領(lǐng)域有望實現(xiàn)“彎道超車”。