【行業(yè)背景】
在第五代移動(dòng)通信與AIoT技術(shù)驅(qū)動(dòng)下，高密度集成電路板的熱流密度已突破100W/cm2量級(jí)。據(jù)IPC-2152標(biāo)準(zhǔn)顯示，每10℃溫升將導(dǎo)致電子元件失效率呈指數(shù)級(jí)增長，這使得熱可靠性設(shè)計(jì)成為高端電子制造的核心挑戰(zhàn)。

【技術(shù)痛點(diǎn)解析】
某國家級(jí)專精特新企業(yè)在開發(fā)5G基站核心板時(shí)遭遇三重技術(shù)壁壘：

1. 熱梯度管控難題：400×300mm板面需控制ΔT≤5℃（MIL-STD-810H標(biāo)準(zhǔn)）

2. 微觀缺陷定位：需檢測0.25mm BGA焊點(diǎn)中的5μm級(jí)虛焊缺陷

3. 瞬態(tài)熱響應(yīng)監(jiān)測：要求μs級(jí)時(shí)間分辨率捕捉功率器件熱沖擊

【創(chuàng)新解決方案】
采用高德智感PT850熱像儀系統(tǒng)（配置3X微距光學(xué)組件），構(gòu)建多維熱診斷方案：

【典型應(yīng)用場景】

1. 熱分布優(yōu)化：通過偽彩色映射技術(shù)，量化PCIe金手指區(qū)域3.2℃溫差，優(yōu)化銅箔厚度分布

2. 缺陷定位：在0.8mm間距QFN封裝中，準(zhǔn)確定位兩處μ級(jí)焊接空洞（如圖1所示）

3. 可靠性驗(yàn)證：持續(xù)監(jiān)測1000次熱循環(huán)后，MOSFET結(jié)溫漂移≤±1.5%，符合AEC-Q104標(biāo)準(zhǔn)

【技術(shù)突破】
PT850搭載的InSb焦平面探測器實(shí)現(xiàn)：

• 1024×768像素下55Hz全幅幀頻

• -20~1500℃寬域測溫（±1%精度）

• 3D熱場重建功能，支持與CAD模型比對(duì)

【客戶價(jià)值】
該方案使客戶：

• 研發(fā)周期縮短40%（從12周降至7周）

• 量產(chǎn)良率提升至99.98%（CPK≥1.67）

• 通過Telcordia SR-332三級(jí)認(rèn)證

【專家點(diǎn)評(píng)】
"在μ級(jí)熱診斷領(lǐng)域，PT850的12μm空間分辨率重新定義了行業(yè)基準(zhǔn)。其熱-力耦合分析模塊為我們的有限元仿真提供了關(guān)鍵邊界條件。"——某院士級(jí)熱管理實(shí)驗(yàn)室負(fù)責(zé)人

【延伸應(yīng)用】
該方案已拓展至：

• 晶圓級(jí)封裝熱應(yīng)力檢測

• 動(dòng)力電池SEI膜生長監(jiān)測

• 光模塊TO-CAN組件熱特性分析

高德智感持續(xù)深耕智能感知領(lǐng)域，為高端制造提供原子級(jí)熱診斷方案，推動(dòng)中國智造向精密化、可靠性方向演進(jìn)。