今年第三季度，NAND閃存依然處于供給吃緊的狀態(tài)，主要是顆粒廠面向3D工藝的轉(zhuǎn)型步伐較慢，低于預期。
而需求方面，手機、服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心依然表現(xiàn)強勢。
不過，來自集邦咨詢半導體研究中心（DRAMeXchange）的最新報告稱，在明年，NAND閃存的市場將達到一種穩(wěn)態(tài)局面。其中，供給側(cè)的產(chǎn)能將提升42.9％，而需求側(cè)，增長預計在37.7％。
目前在3D閃存方面，三星的轉(zhuǎn)產(chǎn)最為順利，已經(jīng)在Q3開始量產(chǎn)64層堆疊，而其它廠商的64層甚至72層則仍需要2018年落地。
據(jù)悉，在明年的所有3D閃存中，3D閃存出貨的占比預計將最高可達70％，其中三星預計60％——70％、SK海力士預計40％——50％、東芝預計50％、美光／Intel合計預計在40％——50％。
而需求方面，手機、服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心依然表現(xiàn)強勢。
不過，來自集邦咨詢半導體研究中心（DRAMeXchange）的最新報告稱，在明年，NAND閃存的市場將達到一種穩(wěn)態(tài)局面。其中，供給側(cè)的產(chǎn)能將提升42.9％，而需求側(cè)，增長預計在37.7％。
目前在3D閃存方面，三星的轉(zhuǎn)產(chǎn)最為順利，已經(jīng)在Q3開始量產(chǎn)64層堆疊，而其它廠商的64層甚至72層則仍需要2018年落地。
據(jù)悉，在明年的所有3D閃存中，3D閃存出貨的占比預計將最高可達70％，其中三星預計60％——70％、SK海力士預計40％——50％、東芝預計50％、美光／Intel合計預計在40％——50％。
特別聲明：以上內(nèi)容(如有圖片或視頻亦包括在內(nèi))為自媒體平臺“機電號”用戶上傳并發(fā)布，本平臺僅提供信息存儲服務(wù)
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of JDZJ Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
/企業(yè)主營產(chǎn)品/
/閱讀下一篇/
