10月17日，國家重點研發(fā)計劃“戰(zhàn)略性先進電子材料”重點專項“新型高密度存儲材料與器件”項目啟動會在中國科學院微電子研究所召開。
會上，微電子所所長葉甜春和中科院院士、微電子重點實驗室主任劉明先后致辭。葉甜春對當前存儲器領(lǐng)域的形勢和現(xiàn)狀進行了總結(jié)和展望，表示要集中力量圍繞關(guān)鍵技術(shù)開展攻關(guān)，實現(xiàn)關(guān)鍵技術(shù)的不斷突破。項目負責人、微電子所研究員劉琦匯報了項目總體情況和實施方案。與會專家對項目的布局給予積極評價，并對項目的具體實施提出了寶貴意見。葉甜春代表微電子所向項目咨詢專家頒發(fā)了聘書。
“新型高密度存儲材料與器件”面向大數(shù)據(jù)時代對海量數(shù)據(jù)存儲和處理的需求，研究相變、阻變、鐵電等新型存儲材料和器件的設計與制備關(guān)鍵技術(shù)，發(fā)展用于高密度存儲陣列的選通器件及三維集成技術(shù)，研制兼具信息存儲、邏輯、運算、編解碼等多功能的新型原型器件以及柔性阻變存儲器原型器件，將為我國發(fā)展具有自主知識產(chǎn)權(quán)的新型高性能存儲材料與器件奠定技術(shù)基礎(chǔ)。
“新型高密度存儲材料與器件”是國家重點研發(fā)計劃“戰(zhàn)略性先進電子材料”重點專項，該項目啟動將研究相變、阻變、鐵電等新型存儲材料和器件的設計與制備關(guān)鍵技術(shù)，為我國研發(fā)自主知識產(chǎn)權(quán)的新型高性能存儲材料與器件奠定了技術(shù)基礎(chǔ)。
會上，微電子所所長葉甜春和中科院院士、微電子重點實驗室主任劉明先后致辭。葉甜春對當前存儲器領(lǐng)域的形勢和現(xiàn)狀進行了總結(jié)和展望，表示要集中力量圍繞關(guān)鍵技術(shù)開展攻關(guān)，實現(xiàn)關(guān)鍵技術(shù)的不斷突破。項目負責人、微電子所研究員劉琦匯報了項目總體情況和實施方案。與會專家對項目的布局給予積極評價，并對項目的具體實施提出了寶貴意見。葉甜春代表微電子所向項目咨詢專家頒發(fā)了聘書。
“新型高密度存儲材料與器件”面向大數(shù)據(jù)時代對海量數(shù)據(jù)存儲和處理的需求，研究相變、阻變、鐵電等新型存儲材料和器件的設計與制備關(guān)鍵技術(shù)，發(fā)展用于高密度存儲陣列的選通器件及三維集成技術(shù)，研制兼具信息存儲、邏輯、運算、編解碼等多功能的新型原型器件以及柔性阻變存儲器原型器件，將為我國發(fā)展具有自主知識產(chǎn)權(quán)的新型高性能存儲材料與器件奠定技術(shù)基礎(chǔ)。
“新型高密度存儲材料與器件”是國家重點研發(fā)計劃“戰(zhàn)略性先進電子材料”重點專項，該項目啟動將研究相變、阻變、鐵電等新型存儲材料和器件的設計與制備關(guān)鍵技術(shù)，為我國研發(fā)自主知識產(chǎn)權(quán)的新型高性能存儲材料與器件奠定了技術(shù)基礎(chǔ)。
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