據(jù)《日本經(jīng)濟新聞》12月10日報道，全球最大半導(dǎo)體代工企業(yè)臺灣積體電路制造（簡稱臺積電、TSMC）聯(lián)合首席執(zhí)行官（CEO）劉德音12月7日表示，將向電路線寬為3納米（納米為10億分之1米）的新一代半導(dǎo)體投資超過200億美元。通過對尖端領(lǐng)域投入巨資，臺積電領(lǐng)先于韓國三星電子等競爭對手。

　　劉德音7日下午在臺灣北部新竹發(fā)表演講時透露了上述消息。目前美國蘋果新款iPhone等配備的10納米線寬半導(dǎo)體屬于最尖端產(chǎn)品。7納米產(chǎn)品將于2018年啟動量產(chǎn)，3納米產(chǎn)品預(yù)計2022年量產(chǎn)。目前已具體落實3納米產(chǎn)品項目的企業(yè)只有臺積電。新工廠建在臺南。

　　半導(dǎo)體大體上分為負(fù)責(zé)存儲的存儲器和負(fù)責(zé)運算的邏輯半導(dǎo)體。臺積電的產(chǎn)品以邏輯半導(dǎo)體為主，目前多面向智能手機。該公司認(rèn)為，2018年7納米產(chǎn)品量產(chǎn)以后，在面向人工智能（AI）和數(shù)據(jù)中心方面的需求有望激增。

　　在半導(dǎo)體領(lǐng)域，縮小電路線寬成為降低成本和提高性能的關(guān)鍵。一方面，電路線寬的縮小導(dǎo)致生產(chǎn)難度提高，制造設(shè)備的價格正在暴漲。荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備廠商阿斯麥（ASML）開發(fā)的“極紫外光刻（EUV光刻）”設(shè)備每臺售價超過1億歐元。