這兩天多人問我“我國的硅片產(chǎn)能已經(jīng)如此之大，為什么大企業(yè)還瘋狂擴(kuò)產(chǎn)？難道連我們都看到的產(chǎn)能過剩，那些大企業(yè)的決策者看不到？”

　　我曾經(jīng)也有類似的疑惑，后來發(fā)現(xiàn)：擴(kuò)產(chǎn)的背后，是新技術(shù)迭代的推動！

　　新增產(chǎn)能，都是采用新技術(shù)，以更便宜的價格，生產(chǎn)出更優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品，在市場更具有競爭力。如果自己不上采用新技術(shù)的產(chǎn)能，那舊產(chǎn)能的產(chǎn)品無市場競爭力，就會被其他企業(yè)革命；與其等別人革命，還不如自我革命！

　　之前，我們只聽說單晶硅、多晶硅；現(xiàn)在，市場涌現(xiàn)一大堆新名詞：perc、半片、MBB、MWT、疊瓦、雙面……

　　在新技術(shù)迭代大潮的裹挾下，上新技術(shù)的產(chǎn)能是必須的。我相信，這是大多數(shù)企業(yè)擴(kuò)產(chǎn)能的根本原因。因此，作為技術(shù)迭代如此之快的高科技產(chǎn)業(yè)，光伏制造業(yè)必須保持較高的利潤率，否則將無資金支持如此快速的技術(shù)革新。

　　一、不同技術(shù)路線的主流功率及產(chǎn)能情況

　　2017年，已經(jīng)成熟或即將成熟的幾項(xiàng)提升效率的技術(shù)分別為Perc技術(shù)、半片技術(shù)、MBB多主柵技術(shù)。理論上來講，這幾項(xiàng)技術(shù)都是兼容性技術(shù)，既可以使用在單晶硅片上，也可以應(yīng)用在多晶硅片上，但疊加效果不同。

　　傳統(tǒng)普通多晶組件功率為270W，普通單晶組件功率為285W，功率差為15W；當(dāng)各自疊加一系列新技術(shù)以后，功率差會進(jìn)一步拉大。2018年各種技術(shù)路線的組件功率分布如表1所示。

　　1）添加劑黑硅

　　當(dāng)前多晶應(yīng)用金剛片以后，主要采用添加劑技術(shù)來解決反射率過高的問題，所以明年多晶組件的出貨的主要功率均為270——275W之間的產(chǎn)品，產(chǎn)能可以高達(dá)40GW以上。

　　2）濕法黑硅

　　干法黑硅技術(shù)路線儲備很久，但是成本下不來（每片成本＞0.3元），干法黑硅這一技術(shù)路線很可能面臨淘汰的命運(yùn)；保利協(xié)鑫主推的濕法黑硅技術(shù)隨著新一代TS+黑硅工藝的推出，成本大幅下降的同時性能又有所提升，主流功率應(yīng)該在275W。今年黑硅設(shè)備擴(kuò)張很快，各個廠家黑硅設(shè)備已經(jīng)突破200臺，對應(yīng)總產(chǎn)能超過16GW。

　　3）普通單晶組件

　　普通單晶組件的功率可達(dá)到285W，產(chǎn)能將達(dá)到30GW。

　　4）Perc電池技術(shù)

　　Perc電池技術(shù)是一種兼容性技術(shù)，既可以用在多晶硅片上，也可以用在單晶硅片上。單晶perc電池普遍功率提升在20W左右；而多晶硅片疊加Perc技術(shù)以后，則只能提升15W左右，而且目前還有衰減的問題沒有有效解決。因此新增Perc電池產(chǎn)能明顯青睞于選擇單晶硅片。

　　2018年，單晶perc組件產(chǎn)能將達(dá)到30GW；用黑硅技術(shù)處理后的多晶perc組件產(chǎn)能將達(dá)到5GW。

　　5）N型組件

　　2017年，N型組件的技術(shù)和產(chǎn)業(yè)化也得到了較大的進(jìn)步?！癗型+pert+半片”可使組件功率達(dá)到320W，2018年產(chǎn)能預(yù)計為2——3GW；“N型+疊瓦”可使組件功率達(dá)到330W以上，2018年產(chǎn)能預(yù)計為1GW以內(nèi)；

　　6）小結(jié)

　　通過上述分析可以看到，半片、Perc、多主柵等技術(shù)疊加在單晶硅片上能帶來更加明顯的提升。當(dāng)各自疊加一系列新技術(shù)以后，多晶組件功率可以做到300W，單晶組件功率會達(dá)到330W，疊加一系列新技術(shù)以后單、多晶組件的功率差會拉大到30W。

　　單晶硅片的產(chǎn)能在2017農(nóng)歷年年底前就會達(dá)到38GW；半片、MBB多主柵等技術(shù)剛開始流行，產(chǎn)能遠(yuǎn)小于單晶硅片產(chǎn)能。

　　鑒于新技術(shù)疊加效果更好，只要單、多晶硅片能保持合理價差，擁有最新最先進(jìn)Perc、半片、多主柵產(chǎn)能的廠家會優(yōu)先選用單晶硅片。而300W的多晶黑硅Perc+半片+多主柵組件可能只會存在于理論當(dāng)中，現(xiàn)實(shí)中不會有廠家把一系列先進(jìn)產(chǎn)能疊加于效果不佳的多晶硅片上。

　　二、新技術(shù)可以減少隱裂產(chǎn)生

　　隱裂之所以產(chǎn)生是由于：

　　1）生產(chǎn)、運(yùn)輸、安裝、清洗、降冰雹等過程中對組件施加的不均勻外力。

　　2）組件正面光伏玻璃和背面背板采用不同材質(zhì)，溫度系數(shù)不同，因此熱脹冷縮的過程中對電池片正反面產(chǎn)生不同應(yīng)力。

　　3）電池片正面的銀漿焊帶處工作溫度低，電池片自身溫度不同導(dǎo)致隱裂。

　　單晶由于內(nèi)部晶格序列一致，容易沿著某些特定方向產(chǎn)生連續(xù)、貫通式的裂紋，相較于多晶組件，單晶組件在生產(chǎn)、運(yùn)輸、安裝的過程中產(chǎn)生隱裂的概率更高。

　　幾項(xiàng)新技術(shù)應(yīng)用于單晶硅片上都有利于解決隱裂問題。

　　1）半片技術(shù)

　　半片技術(shù)是把電池片對切，把一張電池片一分為二然后進(jìn)行封裝的技術(shù)。原先的60片組件實(shí)際上是封裝了120片“半片電池片”單元。由于單張電池片面積小了一半，單晶硅片容易產(chǎn)生的貫穿式裂紋所波及的范圍也對應(yīng)減少；組件產(chǎn)生的變形時對于單張電池片的累積變形量也會減少。根據(jù)晶澳披露的數(shù)據(jù)，單晶半片組件在同等強(qiáng)度的破壞力作用下，比常規(guī)組件的隱裂紋少15%左右。

　　2）雙玻技術(shù)

　　雙玻技術(shù)是正反面均采用玻璃封裝的組件封裝技術(shù)，由于正反面均采用玻璃材質(zhì)，溫度變化所導(dǎo)致的熱脹冷縮的變化一致，被封裝在其中的電池片正反面的應(yīng)力一致，能有效減少溫度變化所引發(fā)的隱裂。

　　3）MBB多主柵技術(shù)

　　現(xiàn)在常規(guī)電池片多采用4——5主柵的技術(shù)，而多主柵技術(shù)使得單張電池片上的主柵數(shù)量達(dá)到12條；與之相對應(yīng)，單條主柵的寬度只有常規(guī)電池片的三分之一，柵線遮擋不會使得柵線背面的溫度明顯偏低。電池片更均衡的溫度減少隱裂的發(fā)生。除此之外，多主柵技術(shù)有利于電池片上的電流搜集，所以即便產(chǎn)生細(xì)微隱裂，在多主柵技術(shù)的幫助下，也不會明顯影響光伏電池效率。所以MBB多主柵技術(shù)在降低產(chǎn)生隱裂幾率的同時也提升電池片對隱裂發(fā)生的容忍度。