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成套電氣設(shè)備的調(diào)試和故障排除ppt課件

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版塊: 電氣工程 \ 供配電技術(shù)

折疊多晶澆注行業(yè)諧波治理1、 概述:

1. 中多晶硅鑄錠爐是多晶硅制造的關(guān)鍵設(shè)備,其工藝流程的穩(wěn)定性,設(shè)備控制的穩(wěn)定性和先進(jìn)性直接關(guān)系到是否能生產(chǎn)出合格的硅錠,而合格的硅錠又直接決定了硅片制成的電池的光電轉(zhuǎn)換效率。

2. 多晶硅鑄錠一般工程應(yīng)用廣泛采用交流感應(yīng)加熱溶化方式,主要原因是通過交流擾動(dòng)攪拌方式,不斷打斷晶粒的生長,使晶微小成多晶狀態(tài),晶粒細(xì)化。中頻爐磁場(chǎng)對(duì)熔化的原料有電磁擾動(dòng)的效應(yīng),有利于成分的均勻和浮渣,所以目前多晶硅鑄錠爐的電源一般均采用中頻電源熔煉方式。

3. 中頻真空感應(yīng)熔煉和單向凝固技術(shù),具有制備較大重量的方形多晶硅錠的能力。

⑴、中頻熔煉爐的組成:

中頻電源柜、補(bǔ)償電容、爐體和水冷電纜、減速機(jī)等。

⑵、在電力系統(tǒng)中,經(jīng)統(tǒng)計(jì)分析,中頻電源是數(shù)量最大的諧波源。

6脈沖中頻電源:主要特征諧波為5、7、11、13次等。

12脈沖中頻電源:主要特征諧波為11、13、23、25、次等。

一般情況下,小型中頻電源采用6脈沖。

較大型中頻電源采用12脈沖。

4. 中頻熔煉爐在工作時(shí)主要分為三個(gè)階段:

⑴、加熱升溫階段;此時(shí)工作電流大,諧波量高,功率因數(shù)可達(dá)0.70.8左右。

⑵、熔化階段;此時(shí)工作情況與加熱升溫階段相似,處于大電流,此時(shí)處于高諧波含量狀態(tài),功率因數(shù)可達(dá)0.750.82左右。

⑶、保溫出爐階段;此時(shí)工作電流小,(因爐溫已達(dá)到居里線位置,故繼續(xù)加大電流無意義),諧波含量較低,功率因數(shù)較低。

5. 多晶熔煉爐多采用2002500hz中頻電源進(jìn)行加熱,其功率范圍為202500kw。

6. 多晶硅鑄錠爐的中頻電源在工作過程中多產(chǎn)生大量諧波,導(dǎo)致電網(wǎng)中的諧波污染非常嚴(yán)重。諧波使電能傳輸和利用的效率降低,使電氣設(shè)備過熱,產(chǎn)生振動(dòng)和噪音,并使其絕緣設(shè)備加速老化,使用壽命降低,甚至發(fā)生故障和燒毀,對(duì)于自身為自動(dòng)化控制的影響不可忽視,會(huì)使安全系數(shù)降低,產(chǎn)品質(zhì)量下降,諧波還會(huì)引起自動(dòng)化裝置誤動(dòng)作,使電能計(jì)量增加。

多晶澆注設(shè)備

原理介紹

①. 連接方式;并聯(lián)連接于單臺(tái)中頻電源交流進(jìn)線端子上,為就地諧波治理及無功補(bǔ)償方式。

②. 額定容量;根據(jù)用戶單位充放電電源功率(kw)設(shè)計(jì)。

③. 濾波方式;調(diào)諧濾波。

④. 控制方式;三相共補(bǔ)、具有手動(dòng)、自動(dòng)切換功能。

⑤. 投切方式;編碼設(shè)置投切。

⑥. 投切器件;晶閘管開關(guān)或交流接觸器。

裝置特點(diǎn);

①. 控制器通過采集到的電壓、電流、計(jì)算出有功功率、無功功率及需補(bǔ)償容量,控制器根據(jù)設(shè)定的濾波及補(bǔ)償支路數(shù)據(jù)以自動(dòng)方式投切。

②. 各支路分擔(dān)合理,功率因數(shù)可達(dá)到0.950.99之間,且不存在過補(bǔ)償現(xiàn)象。

③. 可實(shí)時(shí)監(jiān)控電網(wǎng)電壓、電流、頻率、有功、無功功率因數(shù)、諧波畸變率等運(yùn)行即時(shí)數(shù)據(jù)。

④. 電容器投切裝置可由可控硅負(fù)荷開關(guān)或電容專用投切接觸器組成。晶閘管是無觸點(diǎn)投切,其兩端電壓點(diǎn)位為零(等電位)時(shí)投入濾波支路。電流過零時(shí)切除濾波支路,在投切過程中,電網(wǎng)無暫態(tài)沖擊,無合閘涌流沖擊。

⑤. 散熱方式:強(qiáng)制風(fēng)冷。

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