| Thru-Si Technologies公司（位于美國(guó)加州的Sunnyvale）開(kāi)發(fā)了一種新技術(shù),可以將多個(gè)含有不同功能線路的（例如存儲(chǔ)器,邏輯線路,模擬線路和數(shù)字線路等）芯片堆壘在一起進(jìn)行封裝。此項(xiàng)技術(shù),稱為S-WLP（ stacked wafer-level package ,堆壘晶圓片封裝）,是為智能卡以及便攜式和無(wú)線電等特別需要縮小體積的電子產(chǎn)品,開(kāi)發(fā)出一種經(jīng)濟(jì)可行的多層芯片堆壘封裝方法。 ----此項(xiàng)封裝技術(shù)的要點(diǎn),是在晶圓上形成和印制線路板類似的,垂直穿透晶圓的穿孔并做成連接晶圓上下兩面的接觸;采用的方法是該公司晶圓制造工藝中的等離子體腐蝕工藝ADP（在常壓下游等離子體< atmospheric downstream plasma>中進(jìn)行腐蝕）。此項(xiàng)技術(shù)是將多塊具有不同功能的集成電路晶圓,在進(jìn)行劃片以前就堆壘在一起,保持住集成電路制造中的規(guī)模生產(chǎn)優(yōu)點(diǎn),然后再進(jìn)行劃片。 ----制造過(guò)程中形成金屬絕緣的穿孔,深度為50到150μm。穿孔首先在晶圓的上側(cè)形成,并使之和集成電路相應(yīng)的連接層相連。下一步采用ADP工序,在晶圓的下側(cè)有選擇性地將硅腐蝕掉。此時(shí)沒(méi)有使用光刻掩模版就形成了穿透硅的穿孔。 ----S-WLP工藝還在晶圓的背面形成穿透硅片的堅(jiān)固結(jié)實(shí)的接觸（參看付圖）。這些在背面形成的接觸,接點(diǎn)的性能和倒裝芯片所達(dá)到的性能很接近,并且可以直接和另一個(gè)晶圓或硅襯底鍵合,不需要再另外制造突起。 ----當(dāng)穿孔的接觸形成后,進(jìn)行晶圓的堆壘,然后再進(jìn)行切片。和其它的封裝工藝（如倒裝芯片和引線鍵合工藝）不同,S-WLP工藝技術(shù)沒(méi)有限制堆壘的晶圓層數(shù),也不需要使用垮過(guò)芯片邊界的長(zhǎng)連接線。因此連接線比較短可獲得較小的電感,可以獲得較高水平的信號(hào)性能,克服了一大難題。 ----取消了垮越芯片邊界的引線連接,也為降低堆壘芯片封裝的成本克服了一大障礙。如欲了解更多的信息,請(qǐng)和Thru-Si Technologies公司的Ed Korczynski先生聯(lián)系,電話號(hào)碼為：408-720-3333,e-mail為edk@trusi.com 網(wǎng)址為：http://www.trusi.com。 |
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