| 混合信號集成電路
Analog Devices 公司介紹了數(shù)字轉(zhuǎn)換器VersaCOMM系列的最新成員,即稱為AD6623的四通道發(fā)射信號處理器。該器件是為多種形式、多種標準的無線電基站結(jié)構(gòu)而設計的,額定速率為104Msps。
在功率放大器領域,UltraRF公司展示了PFM21020WB RF模塊,它是為滿足3G無線系統(tǒng)的嚴格線性要求而設計的。其主要特點包括120MHz的瞬時帶寬,延遲典型值為4ns,以及最小25dB的增益。
Hittite Microwave公司展示了一組新系列HBT MMIC功率放大器,它們工作在4.4GHz和7GHz之間,并可提供高達29dBm的輸出功率。這類放大器適合于從5.0GHz到6.0GHz的低成本UNII和 HiperLAN方面的應用。
 Alpha Industries 公司展示了AA026P2-A2型功率放大器,它的主要特點是,具有23.5GHz 到 26.5 GHz頻率范圍和16 dB的平坦增益。該公司還將展出其AA032P-A4型功率放大器,它覆蓋29GHz 到 32GHz的范圍,并且具有1dB的平坦增益。
Velocium公司展示了DV2401 和 DV2101型高速二分頻的分頻器。它適用于高達50 GHz的光纖和寬帶無線應用。這兩種器件都是采用磷化銦工藝開發(fā)的。
RF Micro Devices 公司展示的一種產(chǎn)品是用于EGSM/DCS/ PCS電話聽筒的RF2417三波段低噪聲放大器。這種SiGe HBT BiCMOS器件在EGSM方式中消耗4mA電流,而在DCS 和 PCS方式中消耗5.5 mA的電流。
M/A-COM公司展出了用于功率放大器的MAFRIN0160/ 4/5/6/7系列大功率、低交 叉調(diào)制隔離器。這種器件可工作在從869 MHz 到 2.19 GHz的標準頻率范圍內(nèi)。 振蕩器
Saronix 公司展出了SDS3811 LVDS時鐘振蕩器。它們可提供從104MHz到 350 MHz的頻率,同時也覆蓋了250MHz Infiniband的應用。這種振蕩器在3.3 V下消耗18 mA的電流,具有低于1 ns的上升/下降時間,并能維持低于8 ps的抖動。
Vectron International公司展示了EX-380/385系列真空微型烘箱控制的晶體振蕩器。該器件適用于從10MHz 到 80 MHz的范圍,并可在從-40℃ 到 85℃的整個范圍內(nèi)提供±10-7的穩(wěn)定度。
C-MAC Microtechnology 公司展示了CFPR-9005/8 和 CFPT-9057/61 TCXO。它們是該公司的專利產(chǎn)品,以四階模擬溫度補償ASIC為基礎。從 -20℃到70℃,TCXO提供的溫度補償優(yōu)于±3ppm,在10kHz時,其相位噪聲為-95dBc/Hz。 軟件
在軟件領域,Elanix公司發(fā)表了iFi 802.11b程序庫,它有IEEE 802.11b的全部性能。該庫除了包括高級802.11b數(shù)據(jù)包的生成外,還包括供個別調(diào)制器/解調(diào)器用的低級功能塊。
Ansoft公司展示了HFSS 8.5 EM模擬軟件,它包括一個64位的EM模擬器,在結(jié)構(gòu)、大小和復雜性方面有十倍的增長。
Eagleware公司介紹了射頻/微波系統(tǒng)分析的一種新的方法。該公司展出了包括Spectrasys在內(nèi)的Genesys 8.1,一種全頻域的系統(tǒng)模擬器,它能分析信號的潛通路、全通道帶寬以及測試前不知道的系統(tǒng)的相互作用。 測試設備
 Agilent Technologies公司展出了性能頻譜分析儀（PSA）系列的兩個新的分析儀模塊。這種新的分析儀對PSA線路增加了44GHz (E4446A) 和 50GHz (E4448A)的測試能力,以符合像1xEV-DO、 W-CDMA、CDMA2000和 GSM/Edge這樣的最新通信格式。
 OphirRF公司展示了可提供10W到50W功率的一系列線性微波放大器。這類放大器支持從0.8GHz到4.2GHz的頻率,就是說它覆蓋了包括GSM、 PCS和IMT-2000的所有主要頻段。
Keithley Instruments 公司展出了System 40產(chǎn)品系列,它的混合電路的開關功能已被擴大。這種新的性能實際上能使系統(tǒng)實現(xiàn)任何一種形式的開關操作：包括直流電壓和電流、射頻、微波、光、數(shù)字信號或任何其他組合。
制造Luneberg透鏡的一種新的方法由Emerson & Cuming Microwave Products公司來說明。作為相控陣列技術的一種替代形式,這種新的工藝采用了低損耗的介電合成材料,結(jié)合電磁設計技術來構(gòu)造高增益、大功率的物鏡天線。 無源及分立元件
C-MAC Microtechnology公司展示了一對無源MOSFET四混頻器CM2002-800和CM2002-1900,它們被優(yōu)化用于800和 1900MHz的應用,如GSM800、 PCS和 3G等的向下變頻。CM2002-800在750MHz和850MHz之間存在一個LO（本振）,在820MHz和920MHz之間存在一個RF,而典型的變換損耗為7.8dB;CM2002-1900在1540MHz和1740MHz之間存在一個LO,在1800MHz和2000MHz之間存在一個RF,典型的變換損耗為7.8dB。
來自Gowanda 公司的SMRF 1812 SMT RF電感,采用高溫電磁導線、半導體級環(huán)氧樹脂以及位于中心的線圈,以通過各種試驗。比如在負載下做1000小時的85/85濕度試驗,滿載下的2000小時壽命試驗,200次溫度沖擊循環(huán),10次的1米跌落試驗和4.4磅的剪切力試驗。該元件可獲得從1 μH到1000 μH的電感,而電流的額定值從30mA到450mA。
AVX公司已開發(fā)出SQ系列RF功率電容器,對于大電流應用,典型的Q值最小可達10000,該元件的工作電壓為300Vdc 到4000Vdc,電容值從10 pF到10000pF,而溫度系數(shù)為90±30ppm/℃。
來自California Eastern Laboratories 公司的UPG2008TK GaAs SPDT MMIC開關,尺寸為11.5mm(長)×1.3mm(寬)×0.55mm(高),是SOT-363封裝開關的一半。該元件在1GHz的情況下的接入損耗為0.4 dB,而在從0.5 GHz 到 2.5 GHz的隔離典型值為25 dB。
Polyfet RF Devices公司的L8711P LDMOS晶體管做成低成本的塑料S80P封裝的形式。在封裝的底部帶有一個附加的源極端子,用做散熱。這種7W器件的輸出額定值為500 MHz,最小增益為10 dB,BVDSS為40 V,前向跨導為1.7 Mho。 |
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