位于美國(guó)加州紐華克（Newark）的閃存磁盤制造商——M-Systems公司與日本東芝公司設(shè)在該州伊爾文（Irvine）的半導(dǎo)體制造商——東芝美國(guó)電子元件公司經(jīng)過(guò)合作,開發(fā)出了一項(xiàng)創(chuàng)新性的技術(shù),該技術(shù)使得標(biāo)準(zhǔn)的多級(jí)單元（MLC）NAND快閃存儲(chǔ)器能夠在通常被NOR型存儲(chǔ)器所主宰的高速、高可靠性系統(tǒng)中得到應(yīng)用,例如代碼數(shù)據(jù)和局部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。這項(xiàng)被稱為x2的創(chuàng)新技術(shù)改進(jìn)了NAND操作規(guī)范,并可使同等的NOR存儲(chǔ)器容量增加三倍,或使同等的二進(jìn)制NAND存儲(chǔ)器容量增加一倍。
標(biāo)準(zhǔn)NOR允許直接根據(jù)存儲(chǔ)器的指令執(zhí)行軟件,但操作速度低于NAND,尤其是在寫方式中。為了提供類似NOR的優(yōu)點(diǎn),x2技術(shù)采取了將兩個(gè)分離的NAND器件層疊為一個(gè)“三明治”式的多層平面化結(jié)構(gòu)的做法,該結(jié)構(gòu)能夠在小到足以滿足手持式設(shè)備及其他空間受限的嵌入式應(yīng)用之需的占位面積內(nèi)提供最大的容量。
M-Systems公司的x2技術(shù)提升了NAND快閃存儲(chǔ)器的性能——從而使其能夠在高性能、高可靠性系統(tǒng)中一展身手。
由此實(shí)現(xiàn)的對(duì)兩個(gè)存儲(chǔ)塊的同時(shí)存取使讀、寫、擦性能得以增強(qiáng),而該公司TrueFFS DiskOnChip技術(shù)的運(yùn)用則提供了檢錯(cuò)和糾錯(cuò)算法。增添的功能還包括壞塊管理、存儲(chǔ)單元耗損調(diào)整和XIP能力。
采用x2技術(shù)后,無(wú)需CPU的參與即可對(duì)64KB的存儲(chǔ)塊進(jìn)行DMA讀取操作,而且,多字符組存取時(shí)間可達(dá)25ns。采用x2技術(shù)的快閃存儲(chǔ)器產(chǎn)品其性能與二進(jìn)制NAND相似,但在可靠性上更勝一籌。
預(yù)計(jì)到2003年年底,M-Systems公司的所有產(chǎn)品線都將采用該項(xiàng)技術(shù)。如欲從M-Systems公司了解更多的信息,請(qǐng)與Zack Weisfeld聯(lián)系,電話：001-510-494-2090;E-mail：zack.weisfeld@m-sys.com,或訪問(wèn)M-Systems公司的網(wǎng)站,網(wǎng)址是：http://www.m-sys.com。
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