美國加州圣尼維爾（Sunnyvale）的SanDisk公司和該州伊爾文（Irvine）的東芝美國電子元件公司合作開發(fā)了0.09μm工藝,從而使二元和多級元（Multi-level cell,MLC）NAND快閃存儲器容量和競爭力提高。新的工藝將使目前0.13μm工藝產(chǎn)品的存儲容量提高一倍,并且使產(chǎn)品體積縮小,生產(chǎn)成本降低。
兩公司在發(fā)展計(jì)劃中提出未來存儲產(chǎn)品的容量將進(jìn)一步提升,包括 2Gb和4Gb MLC NAND快閃存儲器。在單片存儲卡上集成多個閃存芯片,將使手持設(shè)備能夠存儲數(shù)十分鐘長度的DVD視頻,成千上萬的高分辨率圖像,超過30小時的數(shù)字音樂,或者數(shù)千兆的數(shù)據(jù)文件。
0.09μm NAND存儲芯片將在日本的東芝公司的Yokkaichi工廠為兩公司生產(chǎn),Yokkaichi在合資企業(yè)FlashVision名下。預(yù)期在2003年下半年會有樣品推出,成批生產(chǎn)預(yù)定于2004第一季。更新一代的工藝研究也已經(jīng)開始,包括0.07μm和0.055μm工藝。
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