位于美國馬薩諸塞州陶頓（Taunton）的微型顯示器制造商Kopin公司,開發(fā)出了一種新穎的外延電阻性接點(diǎn)（Epitaxial Ohmic Contact）技術(shù),該技術(shù)能夠在減小接點(diǎn)電阻的同時(shí)提高接點(diǎn)的穩(wěn)定性,這樣就可以制造出非常適合于諸如便攜式和商業(yè)照明應(yīng)用等苛刻環(huán)境的LED。這一首次將單晶結(jié)點(diǎn)形成于氮化鎵（GaN）之上的研發(fā)成果有望實(shí)現(xiàn)比常用的多晶結(jié)點(diǎn)更為優(yōu)越的性能。
每根引線與襯底相連接的位置一直是LED結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)中的一個(gè)突出的弱點(diǎn),而且,接點(diǎn)的電阻也是改善電氣性能的一個(gè)障礙。提高接點(diǎn)的溫度穩(wěn)定性并減小其電阻可以降低物理遲滯和驅(qū)動(dòng)電壓方面的要求。
接點(diǎn)是通過將金、鎳和金這三個(gè)金屬層沉積在一個(gè)p型GaN表面,并在空氣中進(jìn)行30分鐘470℃的退火處理的方法來形成的。與p-GaN相接觸的金層通過域匹配（Domain Matching）進(jìn)行外延生長,其作用是為通過晶格匹配（Lattice Matching）來進(jìn)行鎳氧化物的生長提供一個(gè)模板。
經(jīng)測量,采用該技術(shù)可實(shí)現(xiàn)約 10μΩ/cm2的接點(diǎn)電阻,并能在30分鐘的時(shí)間里耐受高達(dá)350℃的溫度。結(jié)合這家制造商的其他改進(jìn)措施,該技術(shù)能夠制造出只需2.9V（而非現(xiàn)用的3.3V）驅(qū)動(dòng)電壓的性能穩(wěn)定的藍(lán)色LED。如需了解更多信息,請(qǐng)與Kopin公司的Richard Sneider聯(lián)系,電話：001-508-824-6696,E-mail：info@kopin.com,或訪問該公司的網(wǎng)站,網(wǎng)址：http://www.kopin.com。
——Alix L. Paultre |
66821730(技術(shù)支持)
