位于美國加利福尼亞州圣尼維爾（Sunnyvale）的高密度存儲器解決方案供應(yīng)商MoSys公司近日取得了一項(xiàng)技術(shù)突破,使得傳統(tǒng)SRAM的密度提高了三倍。這項(xiàng)被稱為1T-SRAM-Q的獨(dú)有技術(shù),是專門針對不斷增長的消費(fèi)類產(chǎn)品的低功耗要求及高性能產(chǎn)品的高帶寬要求而設(shè)計(jì)的,這些需求均要求采用更多的片上存儲器。
這一突破性的研究成果基于該公司的面折疊電容器（FAC,Folded-Area Capacitor）技術(shù),即把1T-SRAM柵極氧化物電容器沿著淺溝道隔離側(cè)壁垂直折彎,以占用較少的芯片水平面積,進(jìn)而達(dá)到減小位單元尺寸的目的。利用這種方法形成的0.50μm2和0.28μm2的較小位單元能夠在采用0.13μm和0.09μm制造工藝的情況下分別實(shí)現(xiàn)容量高達(dá)128Mb和256Mb的嵌入式存儲器的集成。
由于位單元面積的減小使得內(nèi)部信號通路變短,由此可提高速度并降低功耗。采用該技術(shù)時只需在標(biāo)準(zhǔn)的邏輯電路制造過程中增加一道非關(guān)鍵性的掩膜工藝。而且,該附加工藝并未對晶體管的熱特性提出新的要求,因此,與采用先前的1T-SRAM時相比,設(shè)計(jì)參數(shù)的變化并不很大。1T-SRAM-Q器件還采用了該公司獨(dú)有的透明糾錯（Transparent Error Correction）技術(shù),該技術(shù)能夠免除激光器檢修（Laser Repair）之需,提高工藝成品率、可靠性,并降低軟誤差率。
四倍密度器件樣品預(yù)計(jì)將于2003年第二季度供貨,而批量生產(chǎn)有望于2003年晚些時候開始。如欲了解更多的信息,請與MoSys公司的Mark-Eric Jones聯(lián)系,電話：001-408-731-1800,E-mail：mejones@mosys.com或訪問該公司的網(wǎng)站,網(wǎng)址：http://www.mosys.com。
——David Suchmann |
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