|  存儲器芯片及磁盤驅動器制造商們再度突破了產品速度和存儲容量的原有極限。外形尺寸適合于無線及手持式設備的多種數(shù)據(jù)存儲選擇方案不久即將面市。
Sharp Microelectronics公司（位于德國漢堡）最近宣布已開發(fā)成功一種最快存取時間為60ns（雙等待狀態(tài)）的高速128Mb快閃存儲器。該公司采用一種多芯片封裝設計,將大容量RAM和低功耗SRAM集成在了一個占位面積為8mm×11mm的封裝內。
三星公司已經推出號稱將成為業(yè)界首款的8Gb NAND快閃存儲器件。在12英寸晶圓片上采用90nm加工工藝制造出的這種高密度器件有望于本季度開始大規(guī)模生產。
東芝公司（位于日本東京）的目標是在2005年實現(xiàn)其數(shù)據(jù)傳輸速度為3.2GHz（據(jù)說是所有存儲器件中速度最快的）的512Mb XDR DRAM的批量生產。 這種芯片基于Rambus公司的XDR存儲器接口技術,能夠提供40ns的周期以及27ns的延遲。該IC將采用4Mb字×8存儲體×16位的配置。
東芝公司存儲器件分部（位于美國加利福尼亞州Irvine）計劃于2004年末提供一種0.85英寸硬盤驅動器樣品,其存儲容量高達4GB。這種纖巧型驅動器的重量不足10g,能夠承受1000g的工作震動強度,工作時的旋轉速度為3600。
Fujitsu Computer Products（美國）公司（位于美國加利福尼亞州圣何塞）已經宣布開發(fā)出美國版的5400-rpm SerialATA HDD。有望在今年四月份面市的這種2.5英寸驅動器將具有高達80GB的容量、150Mb/s的主機傳輸速率以及本機命令排隊功能。
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