| STMicroelectronics公司（位于瑞士日內(nèi)瓦）開(kāi)發(fā)的一種創(chuàng)新芯片制造工藝有望從實(shí)質(zhì)上消除目前電子系統(tǒng)中的軟故障。這種名為rSRAM的工藝在實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)時(shí)不會(huì)造成系統(tǒng)成本的顯著增加以及性能的惡化。 
軟故障產(chǎn)生自存在于地球的低強(qiáng)度本底輻射之中的核粒子。這些粒子本身雖然沒(méi)有危害性,但卻有可能會(huì)造成芯片運(yùn)行的中斷,從而導(dǎo)致依靠這些芯片工作的設(shè)備出現(xiàn)故障。
RSRAM技術(shù)沒(méi)有采用增加芯片硅面積的做法（這樣會(huì)使得一塊晶圓片所能加工出的芯片數(shù)量的減少,從而導(dǎo)致生產(chǎn)成本的上升）,而是將電容集成到垂直方向的SRAM單元結(jié)構(gòu)中以對(duì)標(biāo)準(zhǔn)SRAM單元進(jìn)行調(diào)整,這樣芯片面積就不會(huì)受影響。這些電容允許電荷總量增加至足以觸發(fā)一個(gè)存儲(chǔ)器單元,從而減少了任何給定時(shí)間間隔內(nèi)的軟故障數(shù)量。
對(duì)采用120nm工藝制作、并使用這種新型rSRAM單元的測(cè)試芯片進(jìn)行了大劑量人工輻射轟擊的超常規(guī)測(cè)試,并測(cè)得最終的軟故障率。與傳統(tǒng)的SRAM單元相比,這種rSRAM單元對(duì)軟故障的抵御能力提高了250倍。
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