二、零總線翻轉(zhuǎn)（Zero Bus Turnaround）SSRAM器件和突發(fā)模式SSRAM的差異
突發(fā)模式SSRAM使用中的最大問(wèn)題是在讀寫(xiě)操作頻繁切換時(shí)總線的利用率不高，如圖一所示，完成讀/寫(xiě)/讀/寫(xiě)4個(gè)數(shù)據(jù)的操作要使用8個(gè)時(shí)鐘周期，總線的利用率為50%，如圖二所示，完成讀/寫(xiě)/讀/寫(xiě)4個(gè)數(shù)據(jù)的操作需要使用6個(gè)時(shí)鐘周期，總線利用率為67% 。這類(lèi)器件對(duì)于以讀操作為主或以寫(xiě)操作為主的應(yīng)用時(shí)，總線效率還比較高，然而許多領(lǐng)域，如ATM交換應(yīng)用，涉及大量頻繁地讀寫(xiě)轉(zhuǎn)換，這時(shí)，總線利用率就會(huì)大幅降低，從而成為提高設(shè)備數(shù)據(jù)帶寬的瓶頸。而零總線翻轉(zhuǎn)存儲(chǔ)器很好地克服了突發(fā)模式SSRAM的缺點(diǎn)，讀寫(xiě)操作轉(zhuǎn)換時(shí)總線利用率高，典型的零總線翻轉(zhuǎn)SSRAM的操作時(shí)序如圖三所示，由于讀寫(xiě)操作時(shí)延的對(duì)稱(chēng)性，讀/寫(xiě)/讀/寫(xiě)轉(zhuǎn)換沒(méi)有插肟詹僮鰨芟叩睦寐式詠?SPAN lang=EN-US>100%。
零總線翻轉(zhuǎn)模式SSRAM的改進(jìn)點(diǎn)在于寫(xiě)入的數(shù)據(jù)相對(duì)于寫(xiě)命令也有與讀操作情況下相同的延遲。零總線翻轉(zhuǎn)SSRAM也存在流水線和直通方式之分，前者輸入和輸出的數(shù)據(jù)相對(duì)于寫(xiě)和讀命令有個(gè)3個(gè)時(shí)鐘周期的延遲，而直通模式下為2個(gè)時(shí)鐘周期的時(shí)延。
