三、二倍數(shù)據(jù)率（Double Data Rate）SSRAM和四倍數(shù)據(jù)率(Quad Data Rate)SSRAM器件特點
零總線翻轉(zhuǎn)SSRAM在時鐘的利用率上已經(jīng)效率很高，為進一步提高數(shù)據(jù)的吞吐率，可以采用提高時鐘頻率的方式，然而，現(xiàn)在的SSRAM一個時鐘周期已經(jīng)短到5-6ns,提高時鐘頻率的潛力已經(jīng)有限，過高的頻率還會因引起其它的效應(yīng)而影響數(shù)據(jù)傳輸?shù)目煽啃浴Ａ硪环N可行的提速方案是在原來只利用時鐘上升沿同步的基礎(chǔ)上，再利用時鐘的下降沿，從而使數(shù)據(jù)吞吐率加倍，近年來，一些廠家推出的二倍數(shù)據(jù)率SSRAM和四倍數(shù)據(jù)率SSRAM正是基于這種思路，實際實現(xiàn)上采用了一些變通的方式（相對于QDR SSRAM的另一種標(biāo)準(zhǔn)是SIGMA SSRAM，兩種器件的差別主要是外部封裝標(biāo)準(zhǔn)上的差別，內(nèi)部無本質(zhì)的差異，本文不涉及市場標(biāo)準(zhǔn)之爭，僅以QDR SSRAM為例說明器件特點），二倍數(shù)據(jù)率SSRAM和四倍數(shù)據(jù)率SSRAM與零總線反轉(zhuǎn)SSRAM和突發(fā)模式SSRAM的主要差別在于：1）前二者的輸入數(shù)據(jù)總線和輸出數(shù)據(jù)總線是分離的，而后兩者的輸入輸出數(shù)據(jù)總線是復(fù)用的；2）時鐘供應(yīng)方案做了很大的更改，前二者采用4時鐘結(jié)構(gòu)，K、/K和C、/C。K與/K（有180度的相位差）控制數(shù)據(jù)的輸入，C、/C（有180度的相位差）控制數(shù)據(jù)的輸出。后兩者采用單時鐘結(jié)構(gòu)，同步控制數(shù)據(jù)的輸入和輸出。本質(zhì)上講，二倍速率SSRAM和四倍速率SSRAM實際上是在突發(fā)模式SSRAM和零總線反轉(zhuǎn)SSRAM時鐘下降沿增加了一次數(shù)據(jù)的讀寫操作，因而使數(shù)據(jù)吞吐率加倍。
四、二倍數(shù)據(jù)率SSRAM和四倍數(shù)據(jù)率SSRAM器件的差異
二倍數(shù)據(jù)率SSRAM器件在讀寫操作的切換上的和突發(fā)模式SSRAM相同，讀寫翻轉(zhuǎn)時，時鐘利用率不高，但前者的數(shù)據(jù)吞吐率是后者的兩倍。四倍數(shù)據(jù)率SSRAM器件在讀寫操作的切換上和零總線反轉(zhuǎn)SSRAM相同，讀寫翻轉(zhuǎn)時，時鐘的利用率高，數(shù)據(jù)的吞吐率是零總線翻轉(zhuǎn)SSRAM的兩倍。四倍數(shù)據(jù)率SSRAM又可分為BURST數(shù)等于2和BURST數(shù)等于4兩種模式（指一個讀或?qū)懨羁梢詫蓚�或四個連續(xù)地址數(shù)據(jù)進行操作），其數(shù)據(jù)吞吐率是零總線反轉(zhuǎn)SSRAM器件的兩倍，BURST數(shù)為2時數(shù)據(jù)吞吐率是普通突發(fā)SSRAM的4倍，故此得名，以下是BURST為2的四倍數(shù)據(jù)率SSRAM的典型操作時序。
