摘 要：介紹在TMS320C5410環(huán)境下對Am29LV200B Flash存儲器進行程序燒寫，并且實現了TMS320C5410上電后用戶程序并行自舉引導。
關鍵詞：Am29LV200B Flash DSP 并行自舉引導 自舉表
Flash是一種可在線進行電擦寫，掉電后信息不丟失的存儲器。它具有低功耗、大容量、擦寫速度快等特點，并且內部嵌入算法完成對芯片的操作，因而在數字信號處理系統(tǒng)中得到了廣泛的應用。本文通過一個完整的實例，介紹Am29LV200B Flash存儲器的燒寫方法，實現TMS320C5410（以下簡稱C5410）上電后用戶程序的并行自舉引導。
1 Am29LV200B Flash存儲器
1.1 Flash存儲器簡介
Am29LV200B是AMD公司生產的Flash存儲器，其主要特點有：3 V單電源供電，可使內部產生高電壓進行編程和擦除操作；支持JEDEC單電源Flash存儲器標準；只需向其命令寄存器寫入標準的微處理器指令，具體編程、擦除操作由內部嵌入的算法實現，并且可以通過查詢特定的引腳或數據線監(jiān)控操作是否完成；可以對任一扇區(qū)進行讀、寫或擦除操作，而不影響其它部分的數據。本文中128K×16位Am29LV200B Flash 映射為C5410的片外數據存儲空間，地址為：0x8000~0xFFFF，數據總線16位，用于16位方式的并行引導裝載。128K的Flash ROM用32K地址分四頁進行訪問，上電加載程序時使用Flash ROM的第3頁。
1.2 Flash存儲器的操作命令
向Flash存儲器的特定寄存器寫入地址和數據命令，就可對Flash存儲器編程，但要按一定的順序操作，否則就會導致Flash存儲器復位。由于編程指令不能使“0”寫為“1”，只能使“1”變?yōu)?/font>“0”，而擦除命令可使“0”變?yōu)?/font>“1”，所以正確順序是先擦除，后編程。下面就介紹幾個常用的操作命令：編程命令、擦除命令、讀數據命令、復位命令。
①編程命令。該命令向Flash的指定地址中寫入數據，需要四個總線周期，前兩個是解鎖周期，第三個是建立編程命令，最后一個周期完成向編程地址中寫入編程數據，如表1所列。
由于向每個編程地址寫入數據都需要四個周期，所以在循環(huán)寫Flash時使用宏比較簡單。Flash ROM的首地址為0x8000，故偏移地址0x555對應物理地址就為0x8555。編程程序如下：
_WRITECOMMAND .macro pa,pd ;單一周期編程的寫命
；令宏，pa是編程地址，pd是編程數據
PSHM AR1
STM pa,AR1 ;AR1指向編程地址
LD pd,A
STL A,*AR1 ;把編程數據放入AR1的編程地址中
RPT #12
NOP
POPM AR1
.endm
_WRITEFlash .macro par,pdr ;編程宏,par是編程地址寄存
；器，pdr是存放編程數據的寄存器
_WRITECOMMAND #8555H,#0AAH ; 周期1（解鎖）
_WRITECOMMAND #82AAH,#055H ; 周期2（解鎖）
_WRITECOMMAND #8555H, #0A0H ; 周期3（建立）
LD pdr, A ; 周期4（編程）
STL A, par ; 把pdr寄存器中數據放入par
；寄存器的地址中
RPT #12
NOP
_JUDGE par, pdr ;檢測編程是否正確，見Flash
；的操作檢測
.endm
_WRITECOMMAND是實現一個周期編程的寫命令宏，而_WRITEFlash是完成對指定地址編程的四個完整周期。
�、� 擦除命令。該命令有片擦除和扇區(qū)擦除兩種，都需要6個總線周期，前兩個解鎖周期，第三個建立周期，四、五兩個解鎖周期，最后是片擦除或扇區(qū)擦除周期，如表2所列。一旦執(zhí)行編程或擦除命令后，就啟動Flash的內部編程或擦除算法，自動完成編程或擦除操作。擦除程序如下：
