�。�2）并行自舉引導(dǎo)
這種方式是比較常用的一種，外部存儲(chǔ)器的字寬為8位或16位。在自舉引導(dǎo)時(shí)，通過(guò)外部并行接口總線(xiàn)將這些代碼從數(shù)據(jù)存儲(chǔ)空間傳送到程序存儲(chǔ)空間，而且可以重新設(shè)置SWWSR及BSCR寄存器的內(nèi)容。并行自舉引導(dǎo)方式首先從地址為0FFFFH的I/O口讀取自舉表首地址的內(nèi)容，如果此內(nèi)容不符合8位或16位的引導(dǎo)方式，就從地址為0FFFFH的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器讀取，進(jìn)行8位或16位并行自舉引導(dǎo)。所以，在燒寫(xiě)Flash數(shù)據(jù)的同時(shí)，也要在0FFFFH燒入自舉表的首地址。引導(dǎo)流程如圖2所示。（3）建立自舉表
自舉表內(nèi)容不僅包括欲加載的各段代碼，而且包括各段代碼長(zhǎng)度、各代碼段存放的目標(biāo)地址、程序入口地址等信息。若要完成自舉引導(dǎo)功能，必須建立正確的自舉表。自舉表可以由hex500格式轉(zhuǎn)換器自動(dòng)生成；也可以手動(dòng)建立自舉表，就是把被燒寫(xiě)的程序直接放在燒寫(xiě)程序中，根據(jù)被燒寫(xiě)程序的相關(guān)信息手動(dòng)建立自舉表。
3 C5410 燒寫(xiě)Flash和并行自舉引導(dǎo)
下面通過(guò)一個(gè)Flash燒寫(xiě)實(shí)例，介紹怎樣將用戶(hù)程序燒寫(xiě)進(jìn)Flash，以及怎樣手動(dòng)建立自舉表，并且脫離仿真器以并行自舉引導(dǎo)方式使用戶(hù)程序獨(dú)立運(yùn)行。被燒寫(xiě)和燒寫(xiě)程序如下：
.title “FLASH”
.mmregs
SWCR .set 002BH
TEMP .set 0060H
.data
.sect ".BOOT"
.label BOOTTABLE ; 自舉表開(kāi)始
.word 10AAH ; 16位自舉標(biāo)記
.word 7FFFH ; 7個(gè)等待周期（SWWSR）
.word 0F000H ; 塊轉(zhuǎn)換寄存器（BSCR）
.word 0000h ; 程序入口XPC
.word 0200h ; 程序入口地址（MAIN_START）
.word LOADEND - LOADSTART
; 程序塊長(zhǎng)度（0116H）
.word 0000h ; 存放目標(biāo)XPC
.word 0100h ; 存放目標(biāo)地址
LOADSTART: ;中斷向量表開(kāi)始地址
.copy “vector.asm”;復(fù)位處跳轉(zhuǎn)MAIN_START
MAIN_START: ;被燒寫(xiě)的主程序
STM #0F7h,SP
STM #012Ch,PMST
;IPTR=01(中斷向量指針為100,指向目標(biāo)地址),MP/MC=0,OVLY=1,AVIS=0,DROM=1, CLKOFF=1
LOOPF:RSBX XF ;XF置低
CALL DELAY ;延時(shí)
SSBX XF ;XF置高
CALL DELAY
B LOOPF
DELAY:PSHM AR6
STM #0090H,AR6
DELAY_LOOP:
RPT #0FF0h
NOP
BANZ DELAY_LOOP,*AR6-
POPM AR6
RET
LOADEND ; 被燒寫(xiě)的程序結(jié)束
.space 20h
.mmregs
.label FINDTABLE
.word 8000h
.text
ERASE_WRITE_Flash: ;燒寫(xiě)程序開(kāi)始
STM #0FFA0H,PMST
STM #07FFFH,SWWSR
STM #0FFFFH,SWCR
_RESETFlash ; Flash復(fù)位
_ERASEFlash ;擦除Flash
WRIFlashSTART: ;開(kāi)始編程Flash
SSBX SXM
RSBX OVM
_RESETFLASH ; Flash復(fù)位
STM #8000H,AR0 ;Flash起始地址8000H
STM BOOTTABLE,AR5 ;被燒寫(xiě)的源地址（自舉
��；表首地址）
STM #( LOADEND- BOOTTABLE),AR4
; 寫(xiě)入011E個(gè)字
WRI_RPT
_WRITEFlash *AR0,*AR5 ;調(diào)入編程宏
LD *AR0+,A
LD *AR5+,A ;完成AR0和AR5地址自動(dòng)加1
BANZ WRI_RPT,*AR4-
STM #0FFFFH,AR0; AR0指向數(shù)據(jù)空間的FFFF
；地址
STM FINDTABLE,AR5
_WRITEFlash *AR0,*AR5 ; 向數(shù)據(jù)空間的FFFF
；地址寫(xiě)入自舉表的首地址8000H
ENDD: NOP
B ENDD
.end
被燒寫(xiě)的主程序是從MAIN_START開(kāi)始，一直到LOADEND。程序的主要功能是不斷改變XF引腳的狀態(tài)。LOADSTART是中斷向量文件（vector.asm）的開(kāi)始，在中斷復(fù)位（RESET）處放入一條跳轉(zhuǎn)到MAIN_START指令（BD MAIN_START）。ERASE_WRITE_FLASH是燒寫(xiě)程序的開(kāi)始，只要程序指針（ PC）指向ERASE_WRITE_FLASH，開(kāi)始運(yùn)行就可以完成對(duì)Flash的燒寫(xiě)操作。從自舉表首地址BOOTTABLE （0F8H）到LOADEND（0216H）存放的數(shù)據(jù)就是要寫(xiě)入Flash的內(nèi)容，從LOADSTART到LOADEND的數(shù)據(jù)是DSP自舉程序從Flash搬運(yùn)到片內(nèi)RAM的程序，具體如下：
00F8H: BOOTTABLE ; 自舉表開(kāi)始
0100H: LOADSTART ;中斷向量表首地址
0100H: RESET :BD MAIN_START
... ;中斷向量表的內(nèi)容
0178H: RESERVED
0200H: MAIN_START
... ;主程序
0216H: LOADEND
被燒寫(xiě)的程序只需一個(gè)段，根據(jù)以上信息就可以完成自舉表的內(nèi)容，如表3所列。整個(gè)并行自舉引導(dǎo)過(guò)程為：C5410上電復(fù)位后，判斷MP/MC=0 處于微計(jì)算機(jī)工作方式，從片內(nèi)ROM的0FF80H處執(zhí)行中斷向量表的分支轉(zhuǎn)移指令（BD 0F800H），使程序跳轉(zhuǎn)至0F800H處執(zhí)行自舉引導(dǎo)程序。自舉引導(dǎo)程序完成初始化后，讀取數(shù)據(jù)空間的0FFFFH地址的內(nèi)容，找到自舉表首地址8000H，從8000H處開(kāi)始讀取內(nèi)容。首先，是16位自舉標(biāo)記（10AA）。然后分別是寄存器SWWSR及BSCR的內(nèi)容，程序入口地址、代碼段長(zhǎng)度、存放代碼段的目標(biāo)地址等信息。最后，根據(jù)這些信息把Flash的8008H到811EH的程序搬運(yùn)到片內(nèi)RAM的100H開(kāi)始的地址中，跳轉(zhuǎn)至片內(nèi)RAM 100H、即PC為100H、XPC為0，開(kāi)始執(zhí)行用戶(hù)程序，完成用戶(hù)程序的并行自舉過(guò)程。
結(jié)語(yǔ)
把程序燒寫(xiě)入Flash后，復(fù)位C5410，使其處于微計(jì)算機(jī)工作方式；使用示波器測(cè)試XF引腳，觀察程序運(yùn)行正確與否。通過(guò)上述方法可完成C5410對(duì)Am29LV200B Flash 的燒寫(xiě)，很好地實(shí)現(xiàn)了C5410上電后的用戶(hù)程序自舉引導(dǎo)功能。
參考文獻(xiàn)
1 TMS320VC5410 Bootloader SPRA609A Copyright (c) TI, 2000-04
2 Am29LV200B Copyright (c) 2002 Advanced Micro Devices, 2002-04-12
3 張雄偉, 曹鐵勇. DSP芯片的原理與開(kāi)發(fā)應(yīng)用. 北京：電子工業(yè)出版社, 2001
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66821730(技術(shù)支持)
