ORNAND架構(gòu)由市場份額領(lǐng)先的Spansion公司提出,針對3G手機(jī),將NOR的質(zhì)量,快速隨機(jī)讀取速度與NAND的大容量和成本優(yōu)勢巧妙結(jié)合,容量在3～8Gb之間,計劃2005年推出1.8V、512Mb的產(chǎn)品,以及提供采用1.25Gb閃存的多配置MCP樣品,2007年提供一個全面的、容量高達(dá)8Gb的ORNAND架構(gòu)產(chǎn)品系系列,并會根據(jù)顧客要求,采用MCP技術(shù),將SRAM、PSRAM與閃存封裝在一起供貨。Spansion在全球現(xiàn)有4家封裝測試工廠,其中投資數(shù)億美元,建于蘇州的工廠是該公司規(guī)模最大、技術(shù)最先進(jìn)的封裝測試廠,公司的MCP設(shè)計中心就設(shè)立在蘇州工廠。One NAND在NAND基礎(chǔ)上融入NOR特性,集成有緩存和邏輯接口,可提供高達(dá)108MB/s的數(shù)據(jù)傳輸速度,三星電子率先采用90nm工藝開發(fā)出1Gb容量One NAND手機(jī)閃存,并研發(fā)成功8芯片MCP技術(shù),在最小化整體芯片厚度的同時,減少堆棧芯片之間空隙,在1.4mm封裝高度內(nèi)容量達(dá)3.2Gb。英特爾對MCP最身體力行,將NOR閃存、lp－SDRAM與微處理器堆疊封裝在一起,相比單芯片封裝的體積縮小72％,在上海、成都各建有封裝測試工廠。意法半導(dǎo)體ST公司可同時提供多種存儲芯片,開發(fā)新的MCP技術(shù),在相同厚度的封裝中,疊裝更多的芯片,面向手機(jī)市場,推出基于NAND和NOR的MCP存儲器系統(tǒng),大頁面（同步接口）NAND使MCP容量大增,可由256Mb、512Mb或1Gb的NAND與256Mb或512Mb的LP－SDRAM組成MCP,與現(xiàn)代半導(dǎo)體在國內(nèi)建合資企業(yè),投資封裝測試技術(shù)。瑞薩的高端產(chǎn)品以NOR閃存為基礎(chǔ)的MCP,用NOR＋LP－SDRAM類型,迎合市場需求。NOR閃存廠商推崇NOR與SRAM或PSRAM相結(jié)合的MCP,NAND閃存廠家則提倡NAND與LP－SDRAM或移動DRAM相結(jié)合的MCP,兩大陣營中的16家主要供應(yīng)商現(xiàn)已推出獨具優(yōu)勢的產(chǎn)品。
SRAM市場,排名最前位的賽普拉斯半導(dǎo)體公司可提供除閃存外的所有類別SRAM,在國內(nèi)有封裝測試合作伙伴,90％以上的低功耗SRAM都是向英特爾、ST等閃存廠家提供芯片MCP。PSRAM是在SRAM基礎(chǔ)上發(fā)展起來的,面對其技術(shù)潛在的巨大商機(jī),現(xiàn)已形成歐美、日本、韓國三大陣營競爭態(tài)勢,賽普拉斯、英飛凌、美光和瑞薩組成Cellular RAM聯(lián)盟,東芝、日本電氣、富士通等日本廠家組成COSMORAM聯(lián)盟,韓國三星和現(xiàn)代組成UtRAM聯(lián)盟,三足鼎立各有產(chǎn)品推出。LP－SDRAM、LP－DDR有更高的帶寬和容量,易于NAND閃存實現(xiàn)更高速的接口,但功耗也更大。究竟哪類產(chǎn)品會成為手機(jī)存儲器主流的技術(shù)尚有很多無法預(yù)測的因素,今后的結(jié)局有可能會是一次嚴(yán)重的供應(yīng)鏈混亂。
MCP出現(xiàn)多元化發(fā)展趨勢,適用其他類產(chǎn)品。例如,砷化鎵射頻混頻器/硅基驅(qū)動器件構(gòu)成模擬放大器,帶有一個或多個外部高速緩存的微處理器,微處理器或數(shù)字信號處理器與各種存儲器構(gòu)成的多媒體處理器,會有越來越多的廠家采用MCP。
5 結(jié)束語
3G時代日益逼近,芯片發(fā)展與應(yīng)用需求雙向驅(qū)動,封裝技術(shù)優(yōu)勢互補,催生了MCP技術(shù)及產(chǎn)品,將多重芯片置入單一結(jié)構(gòu)封裝內(nèi)的產(chǎn)品尚不多,并非是技術(shù)限制所至,而是商業(yè)目的阻礙。隨著便攜式電子整機(jī)的功能增加,MCP將會更完善,品種系列更豐富,作用更重要。
