表面貼裝Bulk Metal Z箔(BMZF)電阻在70°C時具有750mW高額定功率,并且具有低至±0.005%的長期穩(wěn)定性、低于±0.2ppm/°C的超低典型TCR、在額定功率下具有±5ppm的PCR及±0.01%低容差等特性。
這些新型電阻主要面向在負載和極端環(huán)境條件下需要具有超低總誤差預(yù)算的超高精度、超級穩(wěn)定、超級可靠電阻的應(yīng)用。
創(chuàng)新型Bulk Metal Z箔技術(shù)極大降低了電子組件對周圍環(huán)境變化及應(yīng)用功率變化的敏感度。該技術(shù)的穩(wěn)定性水平比薄膜技術(shù)高一個數(shù)量級以上,可使設(shè)計人員確保在固定電阻應(yīng)用中實現(xiàn)高精確度。
VSMP包含五種電阻（包括2004年末宣布推出的VSMP1206）,這些器件的表面貼裝封裝尺寸介于0805～2512,最大額定功率介于200mW～750mW,電阻值范圍介于10Ω～150kΩ,并且根據(jù)要求,還可提供更低及更高值。這些器件在最大功率時可實現(xiàn)±0.01%的出色負載壽命穩(wěn)定性,在功率更低時甚至可實現(xiàn)±0.005%的更高穩(wěn)定性。
66821730(技術(shù)支持)
