| 2005年中國(guó)電子元件百?gòu)?qiáng)企業(yè)峰會(huì)論壇在京召開(kāi)
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<!-- | 武漢長(zhǎng)江職業(yè)學(xué)院 吳瑰 陶俊 | 摘 要：將鐵電薄膜與CMOS工藝相集成是實(shí)現(xiàn)鐵電存儲(chǔ)器制備的關(guān)鍵所在,采用PZT材料的鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器的工作原理、工藝流程,以及鋁連線在還原性氫氣氛中退火對(duì)于鐵電電容特性的影響在本文中被探討,還原性氣體隔離層的幾種適用材料的特性,以及隔離層制備的工藝集成這一關(guān)鍵問(wèn)題被著重研究。
關(guān)鍵詞：鐵電存儲(chǔ)器;氫隔離層;不揮發(fā)存儲(chǔ)器;氮氧化硅 | -->  ---5月25日,由信息產(chǎn)業(yè)部經(jīng)濟(jì)體制改革與經(jīng)濟(jì)運(yùn)行司和中國(guó)電子元件行業(yè)協(xié)會(huì)聯(lián)合主辦,中國(guó)電子基礎(chǔ)產(chǎn)品裝備公司、中國(guó)電子元件行業(yè)協(xié)會(huì)信息中心承辦的2005年中國(guó)電子元件百?gòu)?qiáng)企業(yè)峰會(huì)論壇在北京國(guó)際會(huì)議中心召開(kāi)。信息產(chǎn)業(yè)部經(jīng)濟(jì)體制改革與經(jīng)濟(jì)運(yùn)行司周子學(xué)司長(zhǎng)、陳偉副司長(zhǎng)、王秉科副司長(zhǎng)、張恩惠助理巡視員、內(nèi)蒙古自治區(qū)發(fā)改委潘愛(ài)華副主任、信息產(chǎn)業(yè)部經(jīng)濟(jì)體制改革與經(jīng)濟(jì)運(yùn)行司進(jìn)出口管理處高素梅處長(zhǎng)和信息產(chǎn)業(yè)部電子信息產(chǎn)品管理司基礎(chǔ)產(chǎn)品處季國(guó)平處長(zhǎng)等部委領(lǐng)導(dǎo)出席了此次會(huì)議,并為第十八屆中國(guó)電子元件百?gòu)?qiáng)企業(yè)頒獎(jiǎng)。
---據(jù)中國(guó)電子元件行業(yè)協(xié)會(huì)負(fù)責(zé)人透露,此次元件百?gòu)?qiáng)企業(yè)評(píng)選采用了與往屆不同的評(píng)選標(biāo)準(zhǔn)。銷售收入不再是企業(yè)入圍的唯一指標(biāo),而是借鑒《福布斯》500強(qiáng)的評(píng)選方法,以電子元件各生產(chǎn)企業(yè)的年銷售收入、利潤(rùn)總額和資產(chǎn)總計(jì)為基本考察因素,以權(quán)重法按最終綜合成績(jī)排名,體現(xiàn)出企業(yè)的綜合實(shí)力,所以榜單與去年相比有了很大的變動(dòng)。這樣做的目的就是為了貫徹信息產(chǎn)業(yè)部提出的“電子元件企業(yè)不僅要做大、更要做強(qiáng)”的指示。
---在會(huì)議上,信息產(chǎn)業(yè)部經(jīng)濟(jì)體制改革與經(jīng)濟(jì)運(yùn)行司王秉科副司長(zhǎng)和信息產(chǎn)業(yè)部電子信息產(chǎn)品管理司基礎(chǔ)產(chǎn)品處季國(guó)平處長(zhǎng)先后發(fā)言,他們深入分析了我國(guó)電子元件產(chǎn)業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀,并鼓勵(lì)百?gòu)?qiáng)企業(yè)抓住機(jī)遇,做大做強(qiáng),成為產(chǎn)權(quán)明晰、主業(yè)突出、技術(shù)領(lǐng)先、綜合競(jìng)爭(zhēng)力強(qiáng)的大公司和企業(yè)集團(tuán)。
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