| ST與海力士合資存儲(chǔ)器芯片廠(chǎng)舉行奠基儀式
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<!-- | 武漢長(zhǎng)江職業(yè)學(xué)院 吳瑰 陶俊 | 摘 要：將鐵電薄膜與CMOS工藝相集成是實(shí)現(xiàn)鐵電存儲(chǔ)器制備的關(guān)鍵所在,采用PZT材料的鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器的工作原理、工藝流程,以及鋁連線(xiàn)在還原性氫氣氛中退火對(duì)于鐵電電容特性的影響在本文中被探討,還原性氣體隔離層的幾種適用材料的特性,以及隔離層制備的工藝集成這一關(guān)鍵問(wèn)題被著重研究。
關(guān)鍵詞：鐵電存儲(chǔ)器;氫隔離層;不揮發(fā)存儲(chǔ)器;氮氧化硅 | -->  ---意法半導(dǎo)體（ST）與海力士半導(dǎo)體宣布簽訂合資建廠(chǎng)協(xié)議后,日前,這兩家世界大型半導(dǎo)體公司在中國(guó)江蘇省無(wú)錫市舉行了存儲(chǔ)器芯片前端制造廠(chǎng)的奠基典禮,來(lái)自中韓兩國(guó)的國(guó)家及省市地區(qū)的高級(jí)官員參加了典禮儀式。
---新的芯片制造廠(chǎng)將制造DRAM存儲(chǔ)器和NAND閃存芯片,它將使合資雙方率先進(jìn)入快速增長(zhǎng)的中國(guó)市場(chǎng),新的芯片制造廠(chǎng)能夠讓ST使用低成本、高性能的DRAM,從而進(jìn)一步提高在MCP（多片封裝）堆疊式存儲(chǔ)器和SiP（系統(tǒng)級(jí)封裝）解決方案上的全球領(lǐng)先水平。新的合資公司預(yù)計(jì)將是海力士半導(dǎo)體維持其長(zhǎng)久競(jìng)爭(zhēng)力的堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ),因?yàn)樾鹿緦⒗米钌俚馁Y本確保12英寸制造設(shè)施的量產(chǎn),采用一個(gè)具有成本效益的制造環(huán)境,以維持其在快速增長(zhǎng)的中國(guó)市場(chǎng)的領(lǐng)先水平,新制造廠(chǎng)還將是海力士半導(dǎo)體解決貿(mào)易問(wèn)題（包括該公司產(chǎn)品在歐美市場(chǎng)被征收的反傾銷(xiāo)稅）的又一個(gè)全球制造設(shè)施。
---今年年底以前,預(yù)計(jì)一條8英寸生產(chǎn)線(xiàn)開(kāi)始生產(chǎn),在生產(chǎn)初期,先將制造工藝從目前海力士半導(dǎo)體位于韓國(guó)的制造廠(chǎng)穩(wěn)定地轉(zhuǎn)移到新廠(chǎng)。不久之后,一條12英寸的芯片生產(chǎn)線(xiàn)將會(huì)在2006年年底開(kāi)始生產(chǎn)。
---這個(gè)項(xiàng)目計(jì)劃總投資20億美元,合資雙方以股本形式進(jìn)行融資（海力士半導(dǎo)體67%,意法半導(dǎo)體 33%）,意法半導(dǎo)體還將提供2.5億美元長(zhǎng)期借貸,此外,中國(guó)當(dāng)?shù)氐慕鹑跈C(jī)構(gòu)還將提供債務(wù)和長(zhǎng)期租賃形式的融資組合方案。2005年,意法半導(dǎo)體和海力士半導(dǎo)體的股本投資預(yù)計(jì)達(dá)到大約3.75億美元,投資比例為1/3 對(duì) 2/3。
---意法半導(dǎo)體總裁兼首席執(zhí)行官Carlo Bozotti評(píng)價(jià)這家新合資廠(chǎng)時(shí)說(shuō)：“這個(gè)合資企業(yè)的建立將進(jìn)一步加強(qiáng)意法半導(dǎo)體在中國(guó)這個(gè)全球增長(zhǎng)最快的半導(dǎo)體市場(chǎng)中的綜合實(shí)力,在優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)的制造工藝和產(chǎn)品開(kāi)發(fā)上,意法半導(dǎo)體與海力士半導(dǎo)體達(dá)成了卓有成效的合作,因此,我們?cè)跓o(wú)錫建立了這個(gè)新的合資企業(yè)。ST已經(jīng)是中國(guó)第二大半導(dǎo)體供應(yīng)商,新的制造廠(chǎng)將會(huì)提高ST在中國(guó)以至于全球的競(jìng)爭(zhēng)力。”
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