www.directmag.com
Inficon
Inficon公司的Stiletto激光掃描顆粒探測器是一套顆粒監(jiān)控綜合系統(tǒng)。先進(jìn)的原位激光掃描顆粒探測器可以對半導(dǎo)體工藝設(shè)備中的真空反應(yīng)器和真空管道進(jìn)行亞微米污染物（顆粒）的多方位監(jiān)測,具有很高的靈敏度。例如,Stiletto可以檢測每片晶片濺鍍和蝕刻反應(yīng)時(shí)檢測反應(yīng)器的顆粒狀況。該探測器可以檢測到最小尺寸小于0.25um的顆粒,確保能夠即時(shí)發(fā)現(xiàn)“致命性缺陷（killer defects）”,降低產(chǎn)品損失。它還具有新穎的自動糾錯(cuò)技術(shù),可以減少“假”顆粒數(shù)目。
作為高度綜合的工藝監(jiān)測系統(tǒng),該設(shè)備能夠在發(fā)現(xiàn)問題時(shí)及時(shí)停止濺鍍和蝕刻工藝,保證其它產(chǎn)品不會受影響。它還可以通過簡單易操作的界面與FabGuard傳感器整合和分析系統(tǒng)兼容,同步進(jìn)行數(shù)據(jù)收集和分析,實(shí)現(xiàn)先進(jìn)的工藝實(shí)時(shí)控制,提高晶片成品率和半導(dǎo)體設(shè)備生產(chǎn)效率。
www.inficon.de
InnoLas
InnoLas GmbH公司的ILS 500S激光微加工系統(tǒng)將雙激光微加工系統(tǒng)整合成單激光微加工系統(tǒng)。它具有花崗巖結(jié)構(gòu)基座,高功率Q開關(guān)固態(tài)UV激光（355nm）和193nm、248nm脈沖激光準(zhǔn)分子激光器。氣載工作臺可以處理150mm以下晶片,移動速度為500 mm/sec,此外還有四個(gè)CCD照相機(jī)與圖像處理和顯示系統(tǒng)相連接,提供高分辨率自動對準(zhǔn)功能。
該設(shè)備還裝備了終點(diǎn)探測系統(tǒng),通過工藝過程中激光誘發(fā)等離子體的光譜分析控制激光鉆孔深度,因此可以通過晶片鉆孔探測到晶片背面的薄層和涂層結(jié)構(gòu),而不需要穿鉆透這些涂層。
www.innolas.de
Lam Research
Lam Research Corp.公司的2300 Exelan電介質(zhì)蝕刻系統(tǒng)適用于200mm和300mm晶片上的電介質(zhì)蝕刻,該技術(shù)能滿足從180nm到130nm以下工藝的各種要求。Exelan系統(tǒng)中,反應(yīng)活性等離子體被半導(dǎo)體級材料限制在晶片上方很小的體積范圍內(nèi),從而在體積較大的工藝反應(yīng)器內(nèi)部形成了一個(gè)超凈反應(yīng)器。等離子體中產(chǎn)生的離子、電子和反應(yīng)活性中性粒子通過物理手段被限制在很小的范圍內(nèi),同時(shí)蝕刻反應(yīng)產(chǎn)生的副產(chǎn)物和沒有反應(yīng)的氣體可以從內(nèi)部反應(yīng)器中被排除出去。蝕刻過程中生成的保護(hù)性聚合物也被限制在內(nèi)部反應(yīng)器中,但是可以在后續(xù)工藝步驟之間通過合適的“去除等離子體”清理掉。等離子體的小體積有限空間使反應(yīng)活性粒子自由時(shí)間變得非常短。
應(yīng)用范圍包括氧化物和低k雙嵌入式結(jié)構(gòu)的蝕刻,同時(shí)具有原位光刻膠和后段（BEOL）停止層去除能力;此外還包括高縱寬比接觸孔、自對準(zhǔn)接觸孔、柵極和淺溝道隔離掩模層蝕刻、側(cè)間隙壁（spacer）和保護(hù)層（passivation）蝕刻等。該系統(tǒng)還可于一些特殊工藝,例如雙嵌入式結(jié)構(gòu)中的光刻膠回蝕、干法形成雙層光刻膠掩膜版等。
www.lamrc.com
Honeywell Electronic Materials
Equal Channel Angular Extrusion (ECAE) 濺鍍靶是Honeywell公司的獨(dú)特技術(shù),適用于鋁銅濺鍍,能顯著提高濺鍍金屬的性能。ECAE濺鍍產(chǎn)品具有超細(xì)金屬顆粒（比傳統(tǒng)技術(shù)小10~100倍）、非常均勻的微觀結(jié)構(gòu)、很高的機(jī)械強(qiáng)度,而且可以控制其微觀結(jié)構(gòu)。ECAE技術(shù)賦予濺鍍工藝出色的性能表現(xiàn),例如電弧放電低、濺鍍靶使用壽命長、可進(jìn)行高能濺鍍等,形成的金屬膜結(jié)構(gòu)均一、金屬顆粒很小。
ECAE技術(shù)適用于微通孔填充和金屬薄膜沉積,已經(jīng)過許多常規(guī)鋁濺鍍技術(shù)的驗(yàn)證。由于能形成超細(xì)金屬顆粒,因此ECAE可以使微通孔鋁填充技術(shù)延伸至180nm以下工藝。
www.honeywell.com
LEO Electron Microscopy
LEO Electron Microscopy公司的LEO 1540XB CrossBeam系統(tǒng)是超高分辨率場發(fā)射SEM和聚焦離子束（FIB）系統(tǒng)的組合,用于半導(dǎo)體失效分析或研發(fā)時(shí)樣品截面的制備以及在晶片上預(yù)先選定的位置制備TEM樣品。所得截面用于分析復(fù)雜器件中的多層3D結(jié)構(gòu)、確定缺陷起源層并進(jìn)行量測;TEM樣品則可以進(jìn)行納米水平的結(jié)構(gòu)分析。
該系統(tǒng)具有FIB操作過程中實(shí)時(shí)顯示SEM影像的獨(dú)特功能。選裝件包括多通道氣體注入系統(tǒng)、質(zhì)譜分析儀、專用氣壓過渡艙（airlocks）,EBSP,EDS,WDS和其它分析探測器。其主要優(yōu)勢包括全電壓范圍內(nèi)的超高分辨率SEM、FIB同時(shí)顯示SEM影像、電子束和離子束互相整合以及充分開發(fā)的應(yīng)用軟件。
www.leo-em.co.uk
MKS Instruments
MKS Instruments Inc.公司的PICO真空氦氣泄漏探測器是基于小型質(zhì)譜儀的氣體泄漏偵測儀器,選裝件包括吸取探頭和充電前可持續(xù)三小時(shí)不間斷工作的電池。該氣體泄漏探測器適用于蝕刻、CVD、PVD、離子注入和其它工藝中的半導(dǎo)體設(shè)備。通常,為了保證質(zhì)量和產(chǎn)量,盡量縮短故障停機(jī)時(shí)間,每個(gè)半導(dǎo)體廠需要配備10~20臺氣體泄漏探測器。
該探測器采用了先進(jìn)的質(zhì)譜和真空技術(shù),很容易攜帶,不需要體積龐大的推車。探測器很輕（17 磅）,可真正實(shí)現(xiàn)便攜移動。它具有以下特點(diǎn)：最小可探測氣體泄漏速率為10-10 atm cc/sec,渦輪真空泵和質(zhì)譜儀具有自保護(hù)功能,可顯示泄漏速率歷史記錄,響應(yīng)和清除時(shí)間很快,可移動手持式顯示器以及具有組合真空系統(tǒng)（渦輪/旋轉(zhuǎn)真空泵）。
