產(chǎn)品詳情
產(chǎn)品詳細信息
N 通道功率 MOSFET 100V，Infineon
Infineon 系列分立 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道設(shè)備，采用表面安裝和引線封裝。 形狀系數(shù)可解決大多數(shù)板布局和熱設(shè)計挑戰(zhàn)問題。 在整個范圍內(nèi)，基準導(dǎo)通電阻減少了傳導(dǎo)損耗，讓設(shè)計人員可以提供最佳系統(tǒng)效率。
MOSFET 晶體管，Infineon
Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能，實現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強型保護功能的設(shè)計獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標準的 MOSFET。
產(chǎn)品技術(shù)參數(shù)
AttributeValue
| 通道類型 | N |
| 最大連續(xù)漏極電流 | 33 A |
| 最大漏源電壓 | 100 V |
| 最大漏源電阻值 | 44 mΩ |
| 最大柵閾值電壓 | 4V |
| 最小柵閾值電壓 | 2V |
| 最大柵源電壓 | -20 V、+20 V |
| 封裝類型 | TO-220AB |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 引腳數(shù)目 | 3 |
| 晶體管配置 | 單 |
| 通道模式 | 增強 |
| 類別 | 功率 MOSFET |
| 最大功率耗散 | 130 W |
| 典型關(guān)斷延遲時間 | 39 ns |
| 最高工作溫度 | +175 °C |
| 尺寸 | 10.54 x 4.69 x 8.77mm |
| 寬度 | 4.69mm |
| 每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
| 系列 | HEXFET |
| 晶體管材料 | Si |
| 高度 | 8.77mm |
| 典型接通延遲時間 | 11 ns |
| 長度 | 10.54mm |
| 典型輸入電容值@Vds | 1960 pF@ 25 V |
| 典型柵極電荷@Vgs | 71 nC @ 10 V |
| 最低工作溫度 | -55 °C |
