產(chǎn)品詳情
產(chǎn)品詳細(xì)信息
N 通道功率 MOSFET 150V 至 600V，Infineon
Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安裝和引線封裝的 N 通道設(shè)備，外形可應(yīng)對幾乎任何板布局和熱設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。 在整個(gè)范圍內(nèi)，基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻減少了傳導(dǎo)損耗，讓設(shè)計(jì)人員可以提供最佳系統(tǒng)效率。
MOSFET 晶體管，Infineon
Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能，實(shí)現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強(qiáng)型保護(hù)功能的設(shè)計(jì)獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 MOSFET。
產(chǎn)品技術(shù)參數(shù)
AttributeValue
| 通道類型 | N |
| 最大連續(xù)漏極電流 | 18 A |
| 最大漏源電壓 | 200 V |
| 最大漏源電阻值 | 150 mΩ |
| 最大柵閾值電壓 | 4V |
| 最小柵閾值電壓 | 2V |
| 最大柵源電壓 | -20 V、+20 V |
| 封裝類型 | TO-220AB |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 晶體管配置 | 單 |
| 引腳數(shù)目 | 3 |
| 通道模式 | 增強(qiáng) |
| 類別 | 功率 MOSFET |
| 最大功率耗散 | 150 W |
| 每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
| 典型關(guān)斷延遲時(shí)間 | 23 ns |
| 最高工作溫度 | +175 °C |
| 典型輸入電容值@Vds | 1160 pF @ 25 V |
| 高度 | 8.77mm |
| 系列 | HEXFET |
| 最低工作溫度 | -55 °C |
| 典型接通延遲時(shí)間 | 10 ns |
| 晶體管材料 | Si |
| 典型柵極電荷@Vgs | 67 nC @ 10 V |
